Dmitrii Negrov
МФТИ
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Semiconductor materials and devices
- Advanced Memory and Neural Computing
- Ferroelectric and Piezoelectric Materials
- MXene and MAX Phase Materials
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Ferroelectric and Negative Capacitance Devices; Semiconductor materials and devices; Advanced Memory and Neural Computing; Ferroelectric and Piezoelectric Materials; MXene and MAX Phase Materials.
Последние работы
Все 16 в OpenAlexUltrathin Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films on Si2016 · аннотациясвернуть
Because of their immense scalability and manufacturability potential, the HfO2-based ferroelectric films attract significant attention as strong candidates for application in ferroelectric memories and related…
Ferroelectric Second-Order Memristor2019 · аннотациясвернуть
While the conductance of a first-order memristor is defined entirely by the external stimuli, in the second-order memristor it is governed by the both the external stimuli and its instant internal state. As a result,…
Defects in ferroelectric HfO 22021 · аннотациясвернуть
The discovery of ferroelectricity in polycrystalline thin films of doped HfO2 has reignited the expectations of developing competitive ferroelectric non-volatile memory devices. To date, it is widely accepted that the…
Wake-Up in a Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Film: A Cycle-by-Cycle Emergence of the Remnant Polarization via the Domain Depinning and the Vanishing of the Anomalous Polarization Switching2019 · аннотациясвернуть
The mechanism of the remnant polarization ( P r ) growth during the first stage of ferroelectric HfO 2 -based memory cell operation (the wake-up effect) is still unclear. In this work, we reveal the microscopic nature…
- Fully ALD-grown TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN stacks: Ferroelectric and structural properties2016
- Superflexible and Stretchable Ferroelectric Memory on a Biocompatible Platform2024
- Structural changes during wake-up and polarization switching in a ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 film2024
- Wake-Up Free Ultrathin Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Films2023
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, Dmitrii Negrov! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Films on Si» (2016) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.