Dmitry S. Kuzmichev
МФТИ
- Advanced Memory and Neural Computing
- Semiconductor materials and devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Electronic and Structural Properties of Oxides
- Neural dynamics and brain function
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Advanced Memory and Neural Computing; Semiconductor materials and devices; Ferroelectric and Negative Capacitance Devices; Electronic and Structural Properties of Oxides; Neural dynamics and brain function.
Последние работы
Все 17 в OpenAlexFerroelectric properties of full plasma-enhanced ALD TiN/La:HfO2/TiN stacks2016 · аннотациясвернуть
We report the possibility of employment of low temperature (≤330 °C) plasma-enhanced atomic layer deposition for the formation of both electrodes and hafnium-oxide based ferroelectric in the metal-insulator-metal…
In Situ Control of Oxygen Vacancies in TaOx Thin Films via Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition for Resistive Switching Memory Applications2017 · аннотациясвернуть
The plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) process using Ta(OC 2 H 5 ) 5 as a Ta precursor and plasma-activated hydrogen as a reactant for the deposition of TaO x films with a controllable concentration of…
Resistance Switching Peculiarities in Nonfilamentary Self‐Rectified TiN/Ta 2 O 5 /Ta and TiN/HfO 2 /Ta 2 O 5 /Ta Stacks2020 · аннотациясвернуть
Herein, Ta 2 O 5 /Ta interface‐based TiN/Ta 2 O 5 /Ta and TiN/HfO 2 /Ta 2 O 5 /Ta resistance switched (RS) stacks are investigated. The stacks reveal area‐dependent RS behavior indicating nonfilamentary (homogeneous)…
- Atomic Layer Deposited Oxygen‐Deficient TaOx Layers for Electroforming‐Free and Reliable Resistance Switching Memory2018
- CMOS-compatible self-aligned 3D memristive elements for reservoir computing systems2023
- Self-rectifying hysteresis with dynamic conductance modulation in amorphous-nanocrystalline lanthanum nickelate based memristive devices2025
- Self-Rectifying Analog Resistive Switching in Amorphous-Nanocrystalline Lanthanum Nickelate Composite2025
- Effect of Electrode Nanopatterning on the Functional Properties of Ta/TaOx/Pt Resistive Memory Devices2022
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, Dmitry S. Kuzmichev! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Ferroelectric properties of full plasma-enhanced ALD TiN/La:HfO2/TiN stacks» (2016) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.