Damir R. Islamov
Новосибирский государственный университет
- Semiconductor materials and devices
- Ferroelectric and Negative Capacitance Devices
- Advanced Memory and Neural Computing
- X-ray Diffraction in Crystallography
- Crystallization and Solubility Studies
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Semiconductor materials and devices; Ferroelectric and Negative Capacitance Devices; Advanced Memory and Neural Computing; X-ray Diffraction in Crystallography; Crystallization and Solubility Studies.
Последние работы
Все 108 в OpenAlex- Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps2015
- Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films2018
Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide2020 · аннотациясвернуть
The discovery of ferroelectric properties in hafnium oxide has brought back the interest in the ferroelectric non-volatile memory as a possible alternative for low power consumption electronic memories. As far as real…
Oxygen Vacancy in Hafnia as a Blue Luminescence Center and a Trap of Charge Carriers2016 · аннотациясвернуть
The electronic properties of HfO 2, in particular, luminescence and charge transport, are determined by defects and traps. The origin of luminescence centers and traps of charge carriers in a HfO 2 crystal was studied…
- Giant magnetoresistance oscillations induced by microwave radiation and a zero-resistance state in a 2D electron system with a moderate mobility2006
- MultiChargedTraps2026
- Advanced approximation for the probability of phonon-assisted tunneling between traps2026
- Atomic and Electronic Structure of Defect Ni Complexes and Oxygen Vacancies in HfO2 and Their Influence on Charge Transport in Memristors2025
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, Damir R. Islamov! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps» (2015) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.