А. В. Черных
Национальный исследовательский технологический университет МИСиС
- Ga2O3 and related materials
- ZnO doping and properties
- Advanced Photocatalysis Techniques
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Particle Detector Development and Performance
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Ga2O3 and related materials; ZnO doping and properties; Advanced Photocatalysis Techniques; GaN-based semiconductor devices and materials; Particle Detector Development and Performance.
Последние работы
Все 92 в OpenAlexHole traps and persistent photocapacitance in proton irradiated β-Ga2O3 films doped with Si2018 · аннотациясвернуть
Hole traps in hydride vapor phase epitaxy β-Ga2O3 films were studied by deep level transient spectroscopy with electrical and optical excitation (DLTS and ODLTS) and by photocapacitance and temperature dependence…
Electrical properties of bulk semi-insulating β-Ga2O3 (Fe)2018 · аннотациясвернуть
The Fermi level in bulk semi-insulating β-Ga2O3 doped with Fe (∼5 × 1018 cm−3) is found to be pinned near Ec − 0.85 eV. At temperatures ≥400 K, Ni Schottky diodes showed good rectification and measurable low frequency…
Experimental estimation of electron–hole pair creation energy in β -Ga2O32021 · аннотациясвернуть
The applicability of using Electron Beam Induced Current (EBIC) measurements on Schottky barriers to obtain the mean electron–hole pair creation energy in β-Ga2O3 is reported. It is shown that, when combined with Monte…
Defects at the surface of β-Ga2O3 produced by Ar plasma exposure2019 · аннотациясвернуть
Films of β-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on native substrates were subjected to Ar inductively coupled plasma treatment. As a result, the built-in voltage of Ni Schottky diodes deposited on the plasma…
- Hydrogen plasma treatment of β -Ga2O3: Changes in electrical properties and deep trap spectra2019
- Electron Beam Induced Current Studies of Defects Generated by Soft Breakdown of Ga 2 O 3 Schottky Diodes2026
- Trap States in HfO 2 /Ga 2 O 3 and Al 2 O 3 /Ga 2 O 3 Metal Insulator Semiconductor Structures2025
- Creation of shallow donor states in hydrogen plasma exposed undoped α-Ga2O32025
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, А. В. Черных! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Hole traps and persistent photocapacitance in proton irradiated β-Ga2O3 films doped with Si» (2018) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.