Konstantin O. Petrosyants
Высшая школа экономики
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Semiconductor materials and devices
- Radiation Effects in Electronics
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design; Semiconductor materials and devices; Radiation Effects in Electronics; Silicon Carbide Semiconductor Technologies; Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis.
Последние работы
Все 106 в OpenAlexComparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling2022 · аннотациясвернуть
A complete comparison for 14 nm FinFET and NWFET with stacked nanowires was carried out. The electrical and thermal performances in two device structures were analyzed based on TCAD simulation results. The…
Physical TCAD Model for Proton Radiation Effects in SiGe HBTs2016 · аннотациясвернуть
Performance degradation of the SiGe HBT after proton irradiation is investigated using a new physical TCAD model built into the Synopsys Sentaurus tool. The general conception of the model is based on the additive…
Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range2018 · аннотациясвернуть
Through the analysis of JFET models with account for temperature effects, the most suitable one was selected as a basis for expanding SPICE modeling possibilities to cryogenic-to-high temperature range. Parameter…
- Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)2017
- Hardware-Software Subsystem for MOSFETs Characteristic Measurement and Parameter Extraction with Account for Radiation Effects2013
- TCAD-SPICE Analysis of SEU and Reliability in Space-Grade SRAM from 90 nm to 28 nm2025
- SPICE Modeling of GaN HEMTs in the Wide Temperature Range $(-269^{\circ}\mathrm{C}\ldots+500^{\circ}\mathrm{C})$2025
- Hardware–Software Complex for SPICE Model Libraries Development2025
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, Konstantin O. Petrosyants! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Comparative Characterization of NWFET and FinFET Transistor Structures Using TCAD Modeling» (2022) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.