V.E. Bougrov
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor Lasers and Optical Devices
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- ZnO doping and properties
- Ga2O3 and related materials
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: GaN-based semiconductor devices and materials; Semiconductor Lasers and Optical Devices; Semiconductor Quantum Structures and Devices; ZnO doping and properties; Ga2O3 and related materials.
Последние работы
Все 128 в OpenAlex- Epitaxial growth of ( 2 ¯ 01 ) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy2016
- Growth and characterization of β-Ga2O3 crystals2016
- On improving the radiation resistance of gallium oxide for space applications2020
- Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition2007
GALLIUM OXIDE: PROPERTIES AND APPLICA 498> A REVIEW2016 · аннотациясвернуть
Gallium oxide has attracted a considerable interest as a functional material for various applications. This review summarizes the research work carried out in the field of gallium oxide. Polymorphism, crystal structure,…
Elastic Interaction of Quantum Disks in Hybrid QD/NW Structures2024 · аннотациясвернуть
Abstract The elastic interaction of quantum disks (QDs) in a nanowire (NW), i.e., in a hybrid QD/NW structure with sharp heterointerfaces, is considered for the first time. Within the framework of the defect…
- Investigation of the Characteristics of the InGaAs/InAlGaAs Superlattice for 1300 nm Range Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers2023
- 1550 nm Range High-Speed Single-Mode Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers2023
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, V.E. Bougrov! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Epitaxial growth of ( 2 ¯ 01 ) β-Ga2O3 on (0001) sapphire substrates by halide vapour phase epitaxy» (2016) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.