I. A. Kharitonov
Высшая школа экономики
- Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design
- Radioactive Decay and Measurement Techniques
- Radiation Effects in Electronics
- Semiconductor materials and devices
- Scientific Measurement and Uncertainty Evaluation
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design; Radioactive Decay and Measurement Techniques; Radiation Effects in Electronics; Semiconductor materials and devices; Scientific Measurement and Uncertainty Evaluation.
Последние работы
Все 129 в OpenAlexInternational key comparison of measurements of neutron source emission rate (1999–2005): CCRI(III)-K9.AmBe2011 · аннотациясвернуть
Section III (neutron measurements) of the Comite Consultatif des Rayonnements Ionisants, CCRI, conducted a key comparison of primary measurements of the neutron emission rate of an 241 Am-Be(α,n) radionuclide source. A…
SOI device parameter investigation and extraction for VLSI radiation hardness modeling with SPICE2002 · аннотациясвернуть
The united SOI/SOS MOSFET model adapted to SPICE is proposed for VLSI radiation hardness simulation. The procedure for MOS transistor model parameters definition using the test structures is developed. The examples of…
Automation of parameter extraction procedure for Si JFET SPICE model in the −200…+110°C temperature range2018 · аннотациясвернуть
Through the analysis of JFET models with account for temperature effects, the most suitable one was selected as a basis for expanding SPICE modeling possibilities to cryogenic-to-high temperature range. Parameter…
- Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)2017
- International key comparison of neutron fluence measurements in mono-energetic neutron fields: CCRI(III)-K102007
- TCAD-SPICE Analysis of SEU and Reliability in Space-Grade SRAM from 90 nm to 28 nm2025
- Оценка деформаций повторно используемых подготовительных выработок на пологозалегающих угольных пластах2025
- Features of TCAD and SPICE Simulation of a Charged Particle Impact into a 6T SRAM Cell Manufactured Using the CMOS 28-nm Technology Node2024
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, I. A. Kharitonov! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «International key comparison of measurements of neutron source emission rate (1999–2005): CCRI(III)-K9.AmBe» (2011) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.