А. Н. Клочков
Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Terahertz technology and applications
- Advanced Semiconductor Detectors and Materials
- Superconducting and THz Device Technology
- Nanowire Synthesis and Applications
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Semiconductor Quantum Structures and Devices; Terahertz technology and applications; Advanced Semiconductor Detectors and Materials; Superconducting and THz Device Technology; Nanowire Synthesis and Applications.
Последние работы
Все 73 в OpenAlexEffect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT nanoheterostructures2011 · аннотациясвернуть
This study is concerned with the photoluminescence spectra and electrical parameters of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistor (P-HEMT) structures with a quantum well grown at different…
Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme2017 · аннотациясвернуть
The dependences of the electronic-level positions and transition oscillator strengths on an applied electric field are studied for a terahertz quantum-cascade laser (THz QCL) with the resonant-phonon depopulation…
Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates2017 · аннотациясвернуть
The spectrum and waveforms of broadband terahertz-radiation pulses generated by low-temperature In 0.53 Ga 0.47 As epitaxial films under femtosecond laser pumping are investigated by terahertz time-resolved…
- Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit2021
- Improved InGaAs and InGaAs/InAlAs Photoconductive Antennas Based on (111)-Oriented Substrates2020
- Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence2025
- Crystal Structure Analysis of Epitaxial Nanoheterostructures with Multiple Pseudomorphic Quantum Wells {InхGa$$_{{{\mathbf{1}}-x}}$$As/GaAs} on GaAs (100), (110), and (111)А Substrates2025
- Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier2024
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, А. Н. Клочков! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Effect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT nanoheterostructures» (2011) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.