V. V. Kozlovski
Санкт-Петербургский государственный университет
- Silicon Carbide Semiconductor Technologies
- Silicon and Solar Cell Technologies
- Semiconductor materials and interfaces
- Semiconductor materials and devices
- Radiation Effects in Electronics
Чем занимается
Ключевые темы по публикациям: Silicon Carbide Semiconductor Technologies; Silicon and Solar Cell Technologies; Semiconductor materials and interfaces; Semiconductor materials and devices; Radiation Effects in Electronics.
Последние работы
Все 70 в OpenAlexDoping of n-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam2000 · аннотациясвернуть
Deep centers in n-type 4H–SiC and 6H–SiC irradiated with 8 MeV protons have been investigated by capacitance spectroscopy and electron paramagnetic resonance (EPR). Samples were fabricated by sublimation epitaxy or…
Radiation Hardness of Silicon Carbide upon High-Temperature Electron and Proton Irradiation2021 · аннотациясвернуть
The radiation hardness of silicon carbide with respect to electron and proton irradiation and its dependence on the irradiation temperature are analyzed. It is shown that the main mechanism of SiC compensation is the…
Radiation hardness of wide-gap semiconductors (using the example of silicon carbide)2002 · аннотациясвернуть
Results obtained in studying the effect of ionizing radiation on epitaxial layers and devices based on silicon carbide (SiC) are considered. It is shown that, in investigations of wide-gap semiconductors (WGS), account…
- Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: Moderately doped silicon and silicon carbide of n-type2012
- Impact of high energy electron irradiation on high voltage Ni/4H-SiC Schottky diodes2017
- Effect of Radiation-Induced Defects in Gallium and Nitrogen Lattices on n-GaN Conductivity Compensation2024
- Effect of Low-Dose Irradiation and Subsequent Isochronous Annealing on the Current-Voltage Characteristics of Silicon Carbide-Based Surface-Barrier Diodes2024
- Dependence of Silicon Carbide Radiation Resistance on the Irradiation Temperature2024
Наукометрия
Написать научруку
Email не найден в открытых источниках — поищи на странице вуза или в последних статьях.
Шаблон письма
Здравствуйте, V. V. Kozlovski! Я студент(ка) [курс, факультет, вуз]. Мне интересна тема [опишите интересы своими словами]. Прочитал(а) вашу работу «Doping of n-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam» (2000) — она близка к тому, чем я хочу заниматься. Хочу обсудить возможность выполнить научную работу под вашим руководством. Буду благодарен(на) за ответ — готов(а) рассказать о себе подробнее и прислать резюме. С уважением, [Имя Фамилия]
На этапе теста письмо отправляешь сам из своей почты. Отправка из сервиса и статусы заявок — скоро.